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IRF8707PBF
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IRF8707PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IRF87" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF87'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF8707 | IOR | CIs Calientes Especializados | 192050 |
IRF8707GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10506 |
IRF8707GPBF F8707G | IR | CIs Calientes Especializados | 547 |
IRF8707GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26153 |
IRF8707GTRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF8707GTRPBF IC | IR | CIs Calientes Especializados | 670 |
IRF8707GTRPBF MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16214 |
IRF8707GTRPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 10554 |
IRF8707HTRPBF | IR | CIs Calientes Especializados | 1963 |
IRF8707PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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