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IRF6714MTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1m Ω @ 29A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3890pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 9.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 29mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 29A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 234A
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2.1MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Ta 166A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 506μm
Width 5.05mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF6714MTRPBF Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'IRF67' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6702M2DTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6702M2DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2556
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6706S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
IRF6706S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IRF6708S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
IRF6708S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IRF6709S2TR IR CIs Calientes Especializados 5187
IRF6709S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 891

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