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IRF5305STRLPBF Especificaciones técnicas

IRF5305STRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 60mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 110W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Threshold Voltage -4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage -55V
Recovery Time 110 ns
Nominal Vgs -4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -31A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Tc
Rise Time 66ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 63 ns
Continuous Drain Current (ID) -31A
JEDEC-95 Code TO-252
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 280 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 5.084mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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IRF5305STRLPBF Documentos

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Otros incluyen   "IRF53"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF53' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90290
IRF530 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2347
IRF530 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90384
IRF530 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRF5305 IR CIs Calientes Especializados 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3316
IRF5305LPBF. IR CIs Calientes Especializados 2716
IRF5305P IRF CIs Calientes Especializados 31
IRF5305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 471

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