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IPD70N10S312ATMA1
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IPD70N10S312ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 125W Tc |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0111Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 410 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1m Ω @ 70A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A Tc |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 70A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD70N10S312ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD70N10S312ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD70" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD70'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD70N03S4L-04 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56358 |
IPD70N03S4L-04 4N03L04 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3228 |
IPD70N03S4L-04 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2354 |
IPD70N03S4L-04G | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3003 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD70N03S4L04XT | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2952 |
IPD70N04S3-07 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42743 |
IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD70N04S3-07 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10549 |
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