IPD70N03S4L04ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 70A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 70A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPD70N03S4L-04 IPD70N03S4L-04-ND IPD70N03S4L-04TR IPD70N03S4L-04TR-ND IPD70N03S4L04 IPD70N03S4L04ATMA1TR SP000274986
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
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IPD70N03S4L-04 4N03L04 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3228
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IPD70N03S4L-04G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3003
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD70N03S4L04XT INFINEON CIs Calientes Especializados 2952
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