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IPD35N10S3L26ATMA1
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IPD35N10S3L26ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0319Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 71W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 35A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 35A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 140A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 175 mJ |
IPD35N10S3L26ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD35N10S3L26ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD35" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD35'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD350N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2851 |
IPD350N06L G | I | CIs Calientes Especializados | 2966 |
IPD350N06LG | Infineo | CIs Calientes Especializados | 65307 |
IPD350N06LG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5442 |
IPD350N06LGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2564 |
IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD35CN10NG | INF | CIs Calientes Especializados | 2816 |
IPD35N10S3L-26 | I | CIs Calientes Especializados | 49670 |
IPD35N10S3L-26 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3110 |
IPD35N10S3L-26 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 697 |
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