IPD35N10S3L26ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 39μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0319Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 71W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 35A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 140A
Avalanche Energy Rating (Eas) 175 mJ
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Las siguientes partes incluyen  'IPD35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD350N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2851
IPD350N06L G I CIs Calientes Especializados 2966
IPD350N06LG Infineo CIs Calientes Especializados 65307
IPD350N06LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5442
IPD350N06LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD35CN10NG INF CIs Calientes Especializados 2816
IPD35N10S3L-26 I CIs Calientes Especializados 49670
IPD35N10S3L-26 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3110
IPD35N10S3L-26 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 697

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