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IPD350N06LGBTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 28µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD350N06LGBTMA1

Otros incluyen   "IPD35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD350N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2851
IPD350N06L G I CIs Calientes Especializados 2966
IPD350N06LG Infineo CIs Calientes Especializados 65307
IPD350N06LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5442
IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD35CN10NG INF CIs Calientes Especializados 2816
IPD35N10S3L-26 I CIs Calientes Especializados 49670
IPD35N10S3L-26 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3110
IPD35N10S3L-26 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 697
IPD35N10S3L-26(3N10L26) International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363

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