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IPB70P04P409ATMA1
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IPB70P04P409ATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET P-CH 40V 72A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 75W |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1m Ω @ 70A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A Tc |
Rise Time | 15ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 72A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 24 mJ |
Length | 10mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 75W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 120μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4810pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Vgs (Max) | ±20V |
Fall Time (Typ) | 31 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -70A |
Max Dual Supply Voltage | -40V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0094Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 288A |
Height | 4.4mm |
Width | 9.25mm |
Lead Free | Contains Lead |
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-
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB70N04S3-07 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 74193 |
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB70N04S4-06 | I | CIs Calientes Especializados | 33829 |
IPB70N04S4-06 4N0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 948 |
IPB70N04S406ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2779 |
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB70N10S2L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 58693 |
IPB70N10S3-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3975 |
IPB70N10S3-12(3N1012) | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2590 |
IPB70N10S312ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2561 |
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