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IPB70N04S406ATMA1
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IPB70N04S406ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 26µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 70A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IPB70'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB70N04S3-07 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 74193 |
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB70N04S4-06 | I | CIs Calientes Especializados | 33829 |
IPB70N04S4-06 4N0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 948 |
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB70N10S2L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 58693 |
IPB70N10S3-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3975 |
IPB70N10S3-12(3N1012) | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2590 |
IPB70N10S312ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2561 |
IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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