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IPB70N10S3L12ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 83μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.012Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 125W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 70A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Avalanche Energy Rating (Eas) 154 mJ
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IPB70N04S3-07 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 74193
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB70N04S4-06 I CIs Calientes Especializados 33829
IPB70N04S4-06 4N0406 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 948
IPB70N04S406ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2779
IPB70N04S406ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB70N10S2L-16 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 58693
IPB70N10S3-12 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3975
IPB70N10S3-12(3N1012) INFINEO CIs Calientes Especializados 2590
IPB70N10S312ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2561

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IPB70N10S3L12ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB70N10S3L12ATMA1 precio de referencia. IPB70N10S3L12ATMA1 parámetros, IPB70N10S3L12ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB70N10S3L12ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB70N10S3L12ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB70N10S3L12ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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