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IPB160N04S4H1ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-Channel 40V MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 167W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 110μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10920pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
Max Dual Supply Voltage 40V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 28 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0016Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 400 mJ
Lead Free Contains Lead
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB160N04S4H1ATMA1

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Otros incluyen   "IPB16"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB16' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB160N04S2-03 Original CIs Calientes Especializados 644
IPB160N04S2-03(P2N0403) INFINEO CIs Calientes Especializados 2760
IPB160N04S203ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2633
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB160N04S203ATMA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB160N04S2L-03 Original CIs Calientes Especializados 397
IPB160N04S2L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
IPB160N04S2L03ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPB160N04S4H1ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB160N04S4H1ATMA1 precio de referencia. IPB160N04S4H1ATMA1 parámetros, IPB160N04S4H1ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB160N04S4H1ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB160N04S4H1ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB160N04S4H1ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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