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IPB160N04S203ATMA4
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IPB160N04S203ATMA4 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9m Ω @ 60A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 160A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0029Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 810 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 640A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Las siguientes partes incluyen 'IPB16'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB160N04S2-03 | Original | CIs Calientes Especializados | 644 |
IPB160N04S2-03(P2N0403) | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2760 |
IPB160N04S203ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2633 |
IPB160N04S203ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB160N04S203ATMA4 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2783 |
IPB160N04S2L-03 | Original | CIs Calientes Especializados | 397 |
IPB160N04S2L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2521 |
IPB160N04S2L03ATMA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2570 |
IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB160N04S3-H2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1838 |
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