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IPB035N08N3GATMA1
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IPB035N08N3GATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 214W Tc |
Power Dissipation | 214W |
Turn On Delay Time | 23 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Max Dual Supply Voltage | 80V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 79ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0035Ohm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Contains Lead |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPB035N08N3GATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPB03" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB03'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB030N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9367 |
IPB030N08N3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 68 |
IPB030N08N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1544 |
IPB030N08N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1378 |
IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB031N08N5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16928 |
IPB031NE7N3 G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 18802 |
IPB031NE7N3G | INF | CIs Calientes Especializados | 619 |
IPB031NE7N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15824 |
IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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