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IPB034N03LGATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 6.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0047Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 70 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 94W Tc
Power Dissipation 94W
Turn On Delay Time 9.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Max Dual Supply Voltage 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IPB03"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
IPB030N08N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1544
IPB030N08N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1378
IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB031N08N5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16928
IPB031NE7N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 18802
IPB031NE7N3G INF CIs Calientes Especializados 619
IPB031NE7N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15824
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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