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IFS100B17N3E4PB11BPSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1700V 150A 600W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 34
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 260 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 780 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X34
Configuration Full Bridge
Power - Max 600W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IFS100B12N3E4-B31 IGBT Module Módulos IGBT 2789
IFS100B12N3E4-B39 EUPEC Módulos IGBT 2605
IFS100B12N3E4B31BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
IFS100B12N3E4PB11BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2550
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