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IFS100B12N3E4B31BOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 200A 515W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
ECCN Code EAR99
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 515W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Base
Package / Case Module
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Full Bridge
Halogen Free Not Halogen Free
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.3nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IFS100B12N3E4-B31 IGBT Module Módulos IGBT 2789
IFS100B12N3E4-B39 EUPEC Módulos IGBT 2605
IFS100B12N3E4B31BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
IFS100B12N3E4PB11BPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2550
IFS100B12N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
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IFS100B12N3E4_B39 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2987
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