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FF650R17IE4PBOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 720 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1870 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 10
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 650A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FF650R12IE4 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2791
FF650R12IP4 IGBT Module Módulos IGBT 2839
FF650R17IE4 Infineon Módulos IGBT 1321
FF650R17IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2594
FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF650R17IE4DB2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2732
FF650R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
FF650R17IE4DPB2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2689
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