FF650R17IE4DPB2BOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Supplier Device Package Module
Other Names FF650R17IE4DP_B2 FF650R17IE4DP_B2-ND SP001089910
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 650A Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 650A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration 2 Independent
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FF650R12IE4 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2791
FF650R12IP4 IGBT Module Módulos IGBT 2839
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