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BSB014N04LX3GXUMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Silver/Nickel (Ag/Ni)
Terminal Position BOTTOM
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A Ta 180A Tc
Rise Time 8.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Threshold Voltage 2V
Max Dual Supply Voltage 40V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 3-WDSON
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
JESD-30 Code R-MBCC-N3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 36A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSB012N03LX3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2677
BSB012NE2LX International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
BSB012NE2LX Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSB012NE2LX5G INFINEON CIs Calientes Especializados 2604
BSB012NE2LXI International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 35319
BSB012NE2LXI IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2201
BSB012NE2LXIXUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSB013NE2LXI International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18407
BSB013NE2LXIXUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2519

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