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BSB012NE2LXIXUMA1
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BSB012NE2LXIXUMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 3-WDSON |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e4 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2m Ω @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170A Tc |
Rise Time | 6ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Nickel |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 57W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5852pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 4.6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 170A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 25V |
Lead Free | Lead Free |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSB012NE2LXIXUMA1
-
Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'BSB01'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSB012N03LX3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2677 |
BSB012NE2LX | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2778 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSB012NE2LX5G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2604 |
BSB012NE2LXI | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 35319 |
BSB012NE2LXI IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2201 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2652 |
BSB013NE2LXI | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18407 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2519 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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