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BFG 19S E6327 Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Gain 14dB ~ 8.5dB
Current - Collector (Ic) (Max) 210mA
Frequency - Transition 5.5GHz
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY B
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Power - Max 1W
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 70mA 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Transition Frequency 5500MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 1W
Collector-Base Capacitance-Max 1.4pF
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BFG 1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFG 193 E6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2653
BFG 193 E6433 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFG 196 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2668
BFG 196 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFG 19S E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2724

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