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BFG 193 E6433 Especificaciones técnicas

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT223-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN
Gain 10.5dB ~ 16dB
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 600mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequency - Transition 8GHz
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFG 193 E6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2653
BFG 196 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2668
BFG 196 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFG 19S E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2724
BFG 19S E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF

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