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MMIX1X200N60B3 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 223A 625W SMPD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 360V, 100A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Series GenX3™, XPT™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 315nC
Current - Collector (Ic) (Max) 223A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
Td (on/off) @ 25°C 48ns/160ns
Supplier Device Package SMPD
Power - Max 625W
Package / Case 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 1000A
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MMIX1X200N60B3 Documentos

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Otros incluyen   "MMIX1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMIX1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMIX1F132N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2643
MMIX1F160N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2531
MMIX1F180N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
MMIX1F210N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2675
MMIX1F230N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
MMIX1F360N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
MMIX1F40N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2730
MMIX1F420N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
MMIX1F44N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2577
MMIX1F520N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2538

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