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MMIX1F520N075T2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 75V 500A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 24-SMPD
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'MMIX1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMIX1F132N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2643
MMIX1F160N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2531
MMIX1F180N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
MMIX1F210N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2675
MMIX1F230N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
MMIX1F360N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
MMIX1F40N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2730
MMIX1F420N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
MMIX1F44N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2577
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