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IXTV110N25TS Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS-220SMD
Power Dissipation (Max) 694W (Tc)
Package / Case PLUS-220SMD
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Las siguientes partes incluyen  'IXTV1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTV102N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IXTV102N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2770
IXTV120N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IXTV130N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IXTV18N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2515
IXTV18N60PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2264

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