IXTV102N25T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package PLUS220
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 102A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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IXTV102N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IXTV110N25TS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566
IXTV120N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IXTV130N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IXTV18N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2515
IXTV18N60PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2264

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