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IXTT96N20P
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IXTT96N20P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHT™ |
Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
IXTT96N20P Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTT96N20P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTT9" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTT9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTT90P10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2579 |
IXTT96N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2717 |
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