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IXTT90P10P
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IXTT90P10P Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarP™ |
Power Dissipation (Max) | 462W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 45A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
IXTT90P10P Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTT9" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTT9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTT96N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2717 |
IXTT96N20P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2745 |
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