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IXTT6N120
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IXTT6N120 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
IXTT6N120 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTT6N120
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTT6" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTT6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTT60N10 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2509 |
IXTT60N20L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2755 |
IXTT64N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2516 |
IXTT68P20T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2606 |
IXTT69N30P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2724 |
IXTT6N120 | IXYS | Transistores MOSFET individuales |
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