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IXTQ69N30P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4960pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTQ6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ60N10T IXYS CIs Calientes Especializados 6016
IXTQ60N20L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34707
IXTQ60N20T IXYS CIs Calientes Especializados 10474
IXTQ60N20T IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 722
IXTQ60N25T IXYS CIs Calientes Especializados 2508
IXTQ60N28T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3555
IXTQ60N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ62N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1288
IXTQ62N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ64N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2716

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