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IXTQ60N20L2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTQ6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTQ6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ60N10T IXYS CIs Calientes Especializados 6016
IXTQ60N20T IXYS CIs Calientes Especializados 10474
IXTQ60N20T IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 722
IXTQ60N25T IXYS CIs Calientes Especializados 2508
IXTQ60N28T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3555
IXTQ60N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ62N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1288
IXTQ62N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ64N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2716
IXTQ69N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9916

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