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IXTQ26N50P
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IXTQ26N50P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTQ2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTQ2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTQ200N04T | IXYS | CIs Calientes Especializados | 378 |
IXTQ200N06P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5607 |
IXTQ200N075T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2762 |
IXTQ200N085T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2649 |
IXTQ200N10T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2694 |
IXTQ200N10T | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTQ200N10T IC | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 577 |
IXTQ220N055T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2731 |
IXTQ220N075T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2658 |
IXTQ22N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5375 |
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