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IXTQ200N10T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 550W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTQ2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTQ2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ200N04T IXYS CIs Calientes Especializados 378
IXTQ200N06P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5607
IXTQ200N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2762
IXTQ200N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2649
IXTQ200N10T IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTQ200N10T IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 577
IXTQ220N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2731
IXTQ220N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2658
IXTQ22N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5375
IXTQ22N50P MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 1620

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