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IXTP6N50P
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IXTP6N50P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 50µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTP6N50P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTP6" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTP6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTP60N10T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2402 |
IXTP60N10T MOS | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 817 |
IXTP60N10TM | I | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IXTP60N20T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13399 |
IXTP60N28TM-A | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IXTP62N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32365 |
IXTP64N055T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29286 |
IXTP6N100D2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTP6N50D2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTP6N50P TK5A50D | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 32363 |
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