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IXTP6N50D2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 3A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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IXTP6N50D2 Documentos

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Otros incluyen   "IXTP6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTP6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP60N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2402
IXTP60N10T MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 817
IXTP60N10TM I CIs Calientes Especializados 32363
IXTP60N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13399
IXTP60N28TM-A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 32363
IXTP62N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32365
IXTP64N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29286
IXTP6N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTP6N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTP6N50P TK5A50D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 32363

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