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IXTP2N100P
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IXTP2N100P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTP2N100P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTP2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTP2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTP200N055T | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 571 |
IXTP200N055T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10445 |
IXTP200N075T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2700 |
IXTP200N085T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2708 |
IXTP20N65X | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2624 |
IXTP20N65XM | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2570 |
IXTP220N04T | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 13402 |
IXTP220N04T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 497 |
IXTP220N04T2 MOS | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 4257 |
IXTP220N055T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23169 |
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