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IXTP200N055T2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 200A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTP2"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP200N055T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 571
IXTP200N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2700
IXTP200N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
IXTP20N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
IXTP20N65XM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IXTP220N04T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 13402
IXTP220N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 497
IXTP220N04T2 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4257
IXTP220N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23169
IXTP220N055T2 IXYS CIs Calientes Especializados 2703

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