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IXTP02N120P
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IXTP02N120P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 Ohm @ 100mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTP0" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTP0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTP01N100D | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 862 |
IXTP02N50D | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5005 |
IXTP05N100 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
IXTP05N100M | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2619 |
IXTP05N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4222 |
IXTP06N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3432 |
IXTP08N100D2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3789 |
IXTP08N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4543 |
IXTP08N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2772 |
IXTP08N50D2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10259 |
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