IXTP01N100D Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP02N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3432
IXTP02N50D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5005
IXTP05N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
IXTP05N100M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
IXTP05N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4222
IXTP06N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3432
IXTP08N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IXTP08N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXTP08N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2772
IXTP08N50D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10259

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