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IXTK8N150L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 4A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V (1.5kV)
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Otros incluyen   "IXTK8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTK8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTK80N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2999
IXTK80N25P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 503
IXTK82N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2703
IXTK82N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2218
IXTK88N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2690
IXTK88N30P IXYS Transistores MOSFET individuales

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