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IXTK88N30P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 88A TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 44A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 600W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTK8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTK8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTK80N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2999
IXTK80N25P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 503
IXTK82N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2703
IXTK82N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2218
IXTK88N30P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTK8N150L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2628

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