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IXTH26P20P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 200V 26A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarP™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTH2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTH2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH200N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2386
IXTH200N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IXTH200N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2299
IXTH20N50D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13596
IXTH20N55 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2846
IXTH20N55A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2804
IXTH20N55MA IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2782
IXTH20N55MB IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2802
IXTH20N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1461
IXTH20N60A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2799

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