IXTH200N075T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 430W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH200N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IXTH200N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2299
IXTH20N50D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13596
IXTH20N55 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2846
IXTH20N55A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2804
IXTH20N55MA IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2782
IXTH20N55MB IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2802
IXTH20N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1461
IXTH20N60A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2799
IXTH20N60MA IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2714

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