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IXTC180N10T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTC102N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511
IXTC102N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
IXTC110N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
IXTC130N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2662
IXTC13N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 943
IXTC160N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
IXTC160N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
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