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IXTC160N10T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
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IXTC160N10T Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTC160N10T

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTC102N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511
IXTC102N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2652
IXTC110N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
IXTC130N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2662
IXTC13N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 943
IXTC160N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
IXTC180N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2648
IXTC180N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2507
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