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IXTA86N20T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 86A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Otros incluyen   "IXTA8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTA8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA80N075L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
IXTA80N10 IXYS CIs Calientes Especializados 2703
IXTA80N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3661
IXTA80N10T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
IXTA80N12 IXYS CIs Calientes Especializados 823
IXTA80N12T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
IXTA88N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579
IXTA88N085T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2744
IXTA8N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2712
IXTA8N50P IXYS Transistores MOSFET individuales

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