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IXTA80N075L2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 75V 80A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA80N10 IXYS CIs Calientes Especializados 2703
IXTA80N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3661
IXTA80N10T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
IXTA80N12 IXYS CIs Calientes Especializados 823
IXTA80N12T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
IXTA86N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
IXTA88N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579
IXTA88N085T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2744
IXTA8N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2712
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