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IXFX260N17T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 170V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™
Power Dissipation (Max) 1670W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFX200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
IXFX20N120 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2581
IXFX20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5359
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