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IXFX20N120 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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IXFX20N120 Documentos

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Otros incluyen   "IXFX2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFX2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFX200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
IXFX20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5359
IXFX20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2581
IXFX210N17T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2621
IXFX210N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
IXFX21N100F IXYS RF Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2888
IXFX21N100F IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2895
IXFX21N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2869
IXFX21N100Q MOSFETIGBTIC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 762
IXFX220N17T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2515

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