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IXFX24N100Q3
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IXFX24N100Q3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 1000W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IXFX2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFX200N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2701 |
IXFX20N120 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2581 |
IXFX20N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5359 |
IXFX20N80Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2581 |
IXFX210N17T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2621 |
IXFX210N30X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2708 |
IXFX21N100F | IXYS RF | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2888 |
IXFX21N100F | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2895 |
IXFX21N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2869 |
IXFX21N100Q MOSFETIGBTIC | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 762 |
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